本課程提供先進的半導體製程相關知識的培訓，專注於三維鰭式電晶體（FinFET）。從二維平面場效電晶體面臨的微縮挑戰，到元件結構的演進與特性之異同，透過深入探討FinFET結構，幫助學生了解設計挑戰以及製程改良。教材內容包括從平面場效電晶體轉換為三維鰭式電晶體的動機、製程的關鍵步驟，以及相關學術研究成果。學生將了解先進製程在前、中、後段關鍵步驟的重要性，包含(1)前段製程(Front-End-of-Line, FEOL)立體通道製作、閘極圖案製作(Gate patterning)、金屬閘極功函數及閾值電壓調整、汲極源極磊晶等，(2)中段製程(Middle-of-Line, MEOL)自我對準接觸窗(SAC，self-aligned contact)及Spacer，(3)後段製程(Back-End-of-Line, BEOL)金屬導線及雙鑲嵌結構(Dual damascene)和(4)先進製程中的設計技術協同優化(Design Technology Co-Optimization，DTCO)，以及其對FinFET特性的影響。預期建立的課程模組將有助於工程領域相關學生，包括碩士生、博士生和大學部學生，能深入了解半導體製程的複雜性，理解優化設計的重要性，並提升他們在先進製程領域中的專業知識，有助於培養下一代半導體專業人才，並推動整個半導體產業的發展。