由於第三代半導體氮化鎵（GaN）開關元件的迅速發展，許多電力電子應用應運而生。特別是在過去幾年，電動車與AI伺服器電源供應器的成長，使得氮化鎵（GaN）開關元件得到了嶄新的成長動力。氮化鎵（GaN）開關元件相較於傳統的矽基元件，具有導通電阻較小與寄生電容較小的顯著優勢，低導通電阻能有效減少開關元件在高電流運行時的功率損耗，提升整體能效。而較小的寄生電容則使得開關速度更快，因此磁性元件體積而夠大幅縮小，進而提高電源轉換器的功率密度。

然而，氮化鎵（GaN）開關元件的閘級較為脆弱，在開關切換時，容易因寄生電感引起的震盪而遭受擊穿。傳統晶片封裝採用打線方式引出接腳，會產生較大的寄生電感，使矽基閘級驅動電路無法安全驅動 GaN 開關。較先進的晶片尺寸封裝（CSP）雖能降低晶片本身的寄生電感，但印刷電路板（PCB）走線的寄生電感仍然導致切換震盪。為了進一步降低寄生電感，近年來封裝技術逐步走向異質整合，將矽裸晶與GaN裸晶封裝於同一模組內，以提升系統的切換穩定性。

本模組將向學生介紹氮化鎵（GaN）功率開關受寄生電感影響的限制，並進一步探討晶圓封裝技術的發展歷程，最終帶入現今的異質整合封裝技術。